真实密度

真实密度简称真密度（true density），是指物质在密实状态下单位体积的质量，其表达公式为：

ρt = m / V固

ρt—多孔材料的真实密度，kg/m3；

m—多孔材料固体的质量，kg；

V固—多孔材料中固体骨架部分所占的体积，m3。

由公式可以看出，对于多孔材料单个颗粒而言，真密度是扣除开口孔隙和闭口孔隙体积后由物质骨架部分所占体积的质量，即材料在无孔状态下的密度。对催化剂又称骨架密度，它是单位体积催化剂骨架或固体部分(不包括颗粒之间间隙及颗粒内微孔体积)的质量。

由于苯、异丙醇等可以进入多孔材料除骨架以外的开孔中，因此可以用苯替代汞，采及排液置换法测定材料的真密度。但严格地讲，苯不能进入多孔材料闭口孔隙和极微细的微孔中，所以苯测出的密度接近于真密度，如果需要精密地测定，需要将材料磨成粉末，破坏闭口孔隙，采用氦气、氖气或氩气等不被材料吸附的惰性气体以排气置换法进行测定，通常采用真空容量法吸附装置。

空隙率

空隙率（void fraction）是指散粒材料在自然堆积状态下，其中的空隙体积与散粒材料在自然状态下的体积之比的百分率。依据图12，多孔颗粒空隙率的表达公式为：

εB = (V空+V开)/ (V空+V固+V开+V闭)

实心颗粒空隙率的表达公式为：

εB =V空/ (V空+V固+V开+V闭)

εB—颗粒材料的空隙率，%；

V开—多孔颗粒开口孔隙所占的体积，m3，

V闭—多孔颗粒闭口孔隙所占的体积，m3。

V固—实心颗粒所占的体积或多孔颗粒固体骨架部分所占的体积，m3。

V空— 实心颗粒或多孔颗粒之间空隙所占的体积，m3。

实心颗粒空隙率与多孔颗粒空隙率的区别在于是否考虑了多孔颗粒内部的开口孔隙体积，由于实心颗粒为密实状态，没有内部孔隙，因此，其空隙率为颗粒之间的空隙与堆积体积之比的百分率，而多孔颗粒由于具有内部开口孔隙和闭口孔隙，其空隙率表现为颗粒之间的空隙体积与多孔颗粒内部的开口孔隙体积之和相对于堆积体积之比。

通过试样的电流会逐渐减小到一个稳定值,电流随时间的减小可能是由于介质的极化和载流子迁移到电极所致.对于体积电阻率小于io10n•m的材料,电流通常在1min内即可达到稳定状态.对于具有更高体积电阻率的材料，电流减小并趋于稳定的过程可能会持续几分钟、几小时、几天甚至几周。因此，对于这样的材料，可采用较长的施加电压时间。注：当电场强度非常高时，一般方法给出了可被普遍用于各类材料的测量方法，对于一个特定类型的材料，体积电阻和体积电阻率的测量应考虑测量电路的特性以及该材料的特有电性能。试验时，所施加的试验电压很高，应注意防止触电。试验施加电压所产生的极化效应会影响下一次的测量结果，因此连续两次测量期间应保证足够长的时间间隔。

注：对于体积电阻不大于io"n的材料，所施加电压源应为稳定的直流电压源，可由蓄电池或整流稳压电源提供.对于电源的稳定度，由电压不稳所引起的电流变化应足够小，注电压源的纹波特性是十分具有参考价值的，试验电压通常规定为10V、100V、500VV和V.如无特殊规定，推荐采用100V电压。注超过规定的起始电压会引起局部放电，可采用任何合适的设备，——电阻低于io'。n,测暈误差不大于±10%；——电阻介于io*°n到io"。之间，测暈误差不大于土20%；组成测量线路的绝缘材料，——外来寄生电压引起的杂散电流，通常其大小未知，并具有漂移特性；具有未知而易变的电阻值的绝缘与试样电阻、标准电阻器或电流测量装置的不正常的分路；

通过尽可能地提高测量线路所有部分的绝缘电阻，来近似地更正上述误差.但这种做法可能导致测量设备复杂且笨重，而又不足以测量高于几百兆欧的绝缘电阻.可通过使用保护技术来实现更为合适的修正。保护是指在所有关键的绝缘部位插入保护导体，可阻拦所有可能引起误差的杂散电流.这些保护导体联接在一起,组成保护系统